Mine og producere enten kvartsit grus eller knust kvarts . Kvartsit grus eller knuste quarts er grundlaget for at skabe sol -grade silicium.
2
Placer siliciumdioxid enten kvartsit grus eller knust quarts i en elektrisk lysbueovn. Påfør kulstof bue i ovnen til at frigive ilt fra kvartsit grus eller knust kvarts . De resulterende produkter i denne proces er kuldioxid og smeltet silicium . Disse særlige ovne nå temperaturer over 2.500 grader Fahrenheit . Denne proces renser silicium til omkring 98 procent. Men , sol -grade ( eller halvleder -grade ) silicium kræver større renhed. Den 98 - procent renhedsgrad er kendt som metallurgisk silicium , som kan bruges i stål, aluminium og andre industrier.
3
Fjern væsken silicium og placere den i en separat, opvarmet kammer . Inden for det opvarmede kammer , flytte en stang fremstillet af urent silicium tværs af flydende silicium. Gentag dette flere gange i samme retning . Denne proces yderligere renser silicium ved at trække væk urenheder mod den ene ende af stangen . Den urene del af stangen kan derefter skæres væk.
4
Placer en silicium frø krystal i den smeltede silicium . Fjern og rotere silicium frø krystal. Da silicium frø fjernes og roteres , danner en cylindrisk silicium barre eller kugle . Da urenhederne blive tilbage i væsken silicium Dette barre højt oprenset . Denne proces kaldes Czochralski -processen. Bor kan også blive introduceret til silicium på dette stadium (se trin 6). Disse polykrystallinske silicium ingots er rygraden i solceller.
5.
Skær silicium ingots med en specialiseret cirkulær eller flertrådet diamant sav . Den resulterende højt oprenset silicium stykke er nævnt som en silicium wafer . Disse wafers er mindre end en centimeter tyk og kan skæres ud af barren i en cirkulær , rektangulær eller sekskantet form. Rektangulær eller sekskantede figurer er bedre, fordi i modsætning til cirkel nedskæringer , kan de stykkes perfekt sammen.
6
Forsegl silicium wafers i en anden ovn og varme til lige under smeltepunktet af silicium , hvilket er omkring 2.500 grader Fahrenheit. Dette trin skal gøres med fosfor gas omkring silicium wafers . Da silicium nærmer flydendegørelse det bliver mere porøs, og dette gør det muligt fosfor at indtaste silicium. En anden metode til at opnå dette er at skyde fosfor ioner ind i silicium ved hjælp af en lille partikelaccelerator ; styre hastigheden af ioner styrer dybde, i hvilken de trænger . Bor og fosfor er doteret i siliciummet bedre regulere elektron niveauer i silicium. Dette gør det muligt for silicium til at lede elektricitet på et mere effektivt niveau .
7.
Tilføj en anti -reflekterende coating til siliciumskiver . En populær anti-reflekterende kemikalie, der bruges , er titandioxid. Indførelse af en anti -reflekterende coating til siliciumskiver øger deres evne til at absorbere sollys .
Hoteltilbud